Samsung batte un record pour améliorer la densité de ses puces
Le leader sud-coréen de l'électronique, Samsung, a franchi une nouvelle étape dans la miniaturisation de ses puces, en réussissant à développer la première génération de mémoire vive (RAM) à 10 nanomètres. Cela signifie que les composants de stockage des ordinateurs et smartphones pourront contenir désormais 50% de plus de données dans le même espace, ce qui devrait entraîner une baisse des coûts de production.
La nouvelle technologie s'appelle vertical channel transistor (vct)
La clé de ce progrès réside dans l'architecture de la puce, qui a été complètement remodelée. Au lieu des condensateurs et des transistors alignés côte à côte, Samsung a mis en place un système d'apiculation où les condensateurs se chevauchent directement sur les transistors. Cela permet de passer d'une structure de 6F (3x2) à une structure plus dense de 4F (2x2), ce qui explique la diminution de la taille des composants.
Les premiers échantillons de silicium fonctionnant avec cette nouvelle architecture ont déjà été produits et les tests ont montré un rendement attendu. Cependant, Samsung doit encore ajuster ses usines pour produire en masse ces puces optimisées sans erreurs. Si tout se passe bien, cette Technologie devrait entrer en production à l'horizon 2025, ce qui signifie que les utilisateurs pourraient bénéficier de puces plus puissantes et plus économiques dans les années à venir.
La réussite de Samsung marque un tournant important dans le domaine de la miniaturisation électronique et ouvre la voie à de nouvelles possibilités pour les fabricants de matériel informatique et les développeurs de logiciels.